作為與“德國工業4.0”的對標，《中國制造2025》對我國制造業轉型升級和跨越發展作了整體部署，提出了我國制造業由大變強“三步走”戰略目標，明確了建設制造強國的戰略任務和重點，是我國實施制造強國戰略的第一個十年行動綱領。
為了確保用十年的時間，到2025年，邁入制造強國行列，必須堅持整體推進、重點突破?！吨袊圃?025》圍繞經濟社會發展和國家安全重大需求，選擇10大優勢和戰略產業作為突破點，力爭到2025年達到國際領先地位或國際先進水平。十大重點領域是：新一代信息技術產業、高檔數控機床和機器人、航空航天裝備、海洋工程裝備及高技術船舶、先進軌道交通裝備、節能與新能源汽車、電力裝備、農業裝備、新材料、生物醫藥及高性能醫療器械。
為指明十大重點領域的發展趨勢、發展重點，引導企業的創新活動，國家制造強國建設戰略咨詢委員會特組織編制了這些領域的技術路線圖，匯總成冊，稱為“《中國制造2025》重點領域技術路線圖”。
電力電子作為現代能源變換的核心部件和關鍵技術，在傳統產業轉型升級、節能與新能源、國防安全以及國計民生各個方面均發揮著不可替代的作用。因此在《中國制造2025》中，電力電子也被正式作為發展重點。在最近發布的“《中國制造2025》重點領域技術路線圖”中，電力電子的內容主要體現在以下章節：
五、先進軌道交通裝備
5.1先進軌道交通裝備
5.1.3發展重點
2.關鍵零部件
（1）功率半導體器件。重點突破硅基IGBT、MOSFET等先進的功率半導體器件芯片的技術瓶頸，推進國產硅基器件的應用和產業發展；推進碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等下一代功率半導體器件的研發和產業化。
（2）動力型超級電容器件。研制12000F、3.0V、10Wh/kg、100萬次充放的大功率、高能量、長壽命、高安全、免維護超級電容單元器件，推進城市公共交通儲能式電力牽引技術產業化。
3. 關鍵共性技術
（3）電傳動系統技術。完成碳化硅電力電子器件的研發與應用，推進饋能式雙向變流技術的應用；推廣永磁電機驅動技術與無齒輪直驅技術。
（4）儲能與節能技術。加快大能量密度的超級電容的研制，利用超級電容優異的充放電性能，實現有軌電車、無軌電車全線無供電網運營和能量可循環利用運營。
九、 新材料
9.2 關鍵戰略材料
9.2.3 發展重點
8.先進半導體材料
（1）第三代半導體單晶襯底
6-8英寸SiC、4-6英寸GaN、2-3英寸AlN單晶襯底制備技術；可生產大尺寸、高質量第三代半導體單晶襯底的國產化裝備。
（2）第三代半導體光電子器件、模塊及應用
200 lm/W以上光效的LED外延和芯片制備技術；50mW以上AlGaN基紫外LED。
（3）第三代半導體電力電子器件、模塊及應用
15kV以上SiC電力電子器件制備關鍵技術；高質量、低成本GaN電力電子器件的設計與制備；在高壓電網、高速軌道交通、消費類電子產品、新能源汽車、新一代通用電源等領域的應用。
我們欣喜地看到，電力電子在事關國家戰略的綱領性文件中被明確作為發展重點，這與近些年來業界專家積極建言獻策以及電力電子產業取得長足發展密不可分。但同時，我們也應該清醒地認識到：相較于集成電路，電力電子在文件中份量仍很輕。在“一、新一代信息技術產業”一章中， “1.1集成電路及專用設備”是作為專門的一節重點闡述的，而電力電子的內容卻分散于幾個章節，沒有給予系統支持。
在11月6日于重慶召開的“中國電器工業協會電力電子分會2015 年年會暨七屆二次理事會議”上，分會常務副理事長、中國IGBT技術創新與產業聯盟秘書長、中國寬禁帶功率半導體產業聯盟秘書長肖向鋒先生表示：“電力電子的內容分散于文件的好幾個章節，看似哪兒都需要電力電子，但實際上沒有像集成電路那樣得到系統支持，這不利于形成合力。同時，支持的重點在軌道交通領域用的IGBT、MOSFET等電力電子器件，只是整個產業非常小的一部分，不到5%。”
不過，肖秘書長也認為，電力電子被納入《中國制造2025》發展重點是很好的機遇，況且在重點發展的十大領域中大多數也需要電力電子，因此，業界同仁應抓住機遇，堅持“以人為本、創新驅動、結構優化、轉型升級、以質取勝、綠色發展”的思路，共同將電力電子產業做大做強，為實現“中國制造2025”的戰略目標貢獻自己的一份力量。
嘉興斯達半導體股份有限公司首席執行官沈華博士也認為，國家政策支持對于電力電子產業發展非常重要，但同時“打鐵還需自身硬”，電力電子企業要練好內功，才能適應市場的發展。斯達半導體將繼續加大研發投入在國家重點支持的技術領域實現突破，同時更為重要的是將已有產品做到極致，滿足客戶更高需求，為客戶創造更大價值。比如，要將用于電動車的600V IGBT模塊做好，并不比做4500V軌道交通用IGBT容易。因為電壓雖不大，但芯片非常薄，工藝要求實際上非常高。
